英国牛津 80Plus-Failure Analysis等离子设备

Plasmalab 80Plus系列 - Failure Analysis配置（uEtch系统）产品介绍

典型应用：

       低伤害聚酰亚胺钝化蚀刻（体育模式）
       低伤害氮化硅钝化蚀刻（体育模式）
       IMD的各向异性刻蚀（刻蚀模式）
       各向异性电信蚀刻（刻蚀模式）
       各向同性的IMD /电信蚀刻（体育模式）
       各向同性多晶硅刻蚀（ PE或刻蚀模式）

80Plus系列 - Failure Analysis配置（uEtch系统）主要配置： 　　

• 硬件和工艺全程自动化控制的基于Windows NT的PC2000控制软件，全部硬件和工艺均由计算机来控制，操作非常简便
• RIE/PE双模式工艺真空腔，可以针对不同刻蚀层灵活选择刻蚀模式
• 240mm直径温度可以调节的下电极，最大可以处理8”样片
• RF继电器，可以在RIE/PE模式之间灵活切换
• 13.56MHz，30/300W的射频电源以及紧耦合、低损耗的自动匹配网络(Close-coupled Automatic Matching Network)，更加保证了工艺的重复性
• 控制工艺气体流量及配比的外部Gas Pod，最多可配置6路气体管路，大大节约了净化间的面积
• 反应室真空压力自动控制系统（APC CM Gauge），保证工艺过程压力的稳定
• 大抽速防腐蚀机械泵和罗兹泵泵组，可以快速的达到工艺试验所需的真空环境

80Plus系列 - Failure Analysis配置（uEtch系统）选配件： 　

• 激光干涉终点控制系统(End Point Detector)，可以精确控制不同层的刻蚀深度
• 65mm直径的ICP电源，可以大大提高产品的刻蚀速率同时减小刻蚀对产品的损伤
• 干泵和分子泵组合